Физика сверхбыстродействующих транзисторов

Физика сверхбыстродействующих транзисторов Автор(ы): Пожела Ю. Юцене В.   Год издания: 1985  Издательство: Вильнюс: Мокслас  Количество страниц: 112  ISBN:   Язык: русский  Скачать книгу

ма повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации — одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники и в частности — повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работы биполярных и полевых транзисторов, а также транзисторов на горячих электронах. Обсуждаются основные физические идеи изыскания новых перспективных путей для создания таких приборов и повышения их быстродействия. Наряду с кремнием — традиционным полупроводниковым материалом, применяемым для создания транзисторов, обсуждается освоение для этих целей полупроводников типа арсенида галлия, других соединений А3В5 и гетероструктур на их основе. Дана сводка предельно достигнутых и достижимых параметров быстродействия транзисторов. Книга предназначена для специалистов, работающих в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники, для разработчиков полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также аспирантов и студентов.