Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур Автор(ы): Корольков В. И. Рахимов Н.   Год издания: 1986  Издательство: Ташкент: Фан  Количество страниц: 152  ISBN:   Язык: русский  Скачать книгу

В монографии рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А₃В₅ в силовых диадах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда.
Для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей вузов.